靜電場(chǎng)的強(qiáng)度取決于充電物體上的電荷數(shù)量和它的電荷量不同的物體之間的距離。人體上的電壓通常會(huì)達(dá)到8kv~10kv，有時(shí)電壓會(huì)更高，達(dá)到12kv~15kv。許多文獻(xiàn)上稱，人體的電壓可以達(dá)到30kv。但這是假設(shè)身體的最小輝光放電半徑為1cm時(shí)推斷的。實(shí)際上，人體上許多部位的輝光放電半徑小于1cm，因此在通常條件下是不會(huì)出現(xiàn)這么高電壓的。人體上的最高電壓應(yīng)該是20kv左右。
如果一個(gè)元件的兩個(gè)針腳或更多針腳之間的電壓超過元件介質(zhì)的擊穿強(qiáng)度，就會(huì)對(duì)元件造成損壞，這是MOS器件出現(xiàn)故障最主要的原因。MOS器件的氧化層越薄，元件對(duì)靜電放電的敏感性也越大。由靜電引起的MOS器件故障通常表現(xiàn)為元件本身對(duì)電源有一定阻值的短路現(xiàn)象。對(duì)于雙極性元件，損壞一般發(fā)生在薄氧化層隔開的已進(jìn)行金屬噴鍍的有源半導(dǎo)體區(qū)域，靜電引起的擊穿會(huì)產(chǎn)生電流嚴(yán)重泄露的路徑。
另一種故障是由于節(jié)點(diǎn)的溫度超過半導(dǎo)體硅的熔點(diǎn)（1415℃）時(shí)引起的。靜電放電脈沖的能量可以產(chǎn)生局部發(fā)熱，使半導(dǎo)體局部熔斷損壞。即使靜電產(chǎn)生的電壓低于介質(zhì)的擊穿電壓，也會(huì)發(fā)生這種故障。一個(gè)典型的例子是，NPN型三極管發(fā)射極與基極間常會(huì)因靜電而擊穿，擊穿后電流增益急劇降低。
器件受到靜電放電的影響后，也可能不立即出現(xiàn)功能性的損壞。這些受到潛在損壞的元件通常被稱為“跛腳”，一旦加以使用，將會(huì)對(duì)以后發(fā)生的靜電放電或傳導(dǎo)性瞬態(tài)表現(xiàn)出更大的敏感性。整體的性能表現(xiàn)為電子設(shè)備的性能越來越差，直至完全損壞。
要密切注意元件在不易察覺的放電電壓下發(fā)生的損壞，這一點(diǎn)非常重要。人體有感覺的靜電放電電壓為3000v~5000v，然而，元件發(fā)生損壞時(shí)的電壓僅幾百伏，。這勢(shì)必會(huì)對(duì)電子電路的性能產(chǎn)生影響。表1和表2分別列出了典型生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)易產(chǎn)生的靜電電壓及靜電對(duì)部分電子器件的擊穿電壓。由這兩個(gè)表我們可以看出，相對(duì)于自然界的靜電來說，電子器件是非常嬌貴的，正是基于這一因素，是否采取了靜電防護(hù)措施是衡量電子器件質(zhì)量好壞的一個(gè)非常重要的指標(biāo)。
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